Samsung ได้เปิดสายพานการผลิตชิปหน่วยความจำแบบ embedded จุสูงถึง 512GB

Samsung ได้เปิดสายพานการผลิตชิปหน่วยความจำแบบ embedded Universal Flash Storage (eUFS) ที่มีขนาดความจุสูงถึง 512GB นั่นอาจจะหมายความว่า สมาร์ทโฟนระดับเรือธงในปี 2018 ของ Samsung อาจมีขนาดความจุของหน่วยความจำภายในตัวเครื่องใหญ่กว่าเป็นเท่าตัวเมื่อเทียบกับรุ่นของปี 2017 และด้วยขนาดความจุที่สูงขนาดนี้ อาจทำให้สมาร์ทโฟนระดับเรือธงในอนาคตไม่จำเป็นต้องมีช่องเสียบการ์ด microSD อีกต่อไป รวมถึงอุปกรณ์ต่างพวกกล่อง ทีวีต่างๆอาจใช้ชิบตัวนี้แทนซึ่งก็จะทำให้อุปกรณ์เหล่านั้นมีความจุและความเร็วเพิ่มขึ้นเป็นเท่าตัว

นอกจากขนาดความจุที่ใหญ่โตแล้ว ชิปหน่วยวามจำแบบใหม่นี้ยังได้มีการอัพเกรดในเรื่องของความเร็วด้วยเช่นกัน โดยความเร็วในการอ่านข้อมูลอยู่ที่ 860Mbps ในขณะที่ความเร็วในการเขียนทำได้ที่ 255Mbps มันเร็วถึงขนาดที่สามารถโอนคลิปวีดีโอขนาด 5GB ไปยังหน่วยเก็บข้อมูลแบบ SSD ในเวลาเพียง 6 วินาทีเท่านั้น และมันเร็วกว่าการ์ด microSD แบบมาตรฐานถึง 8 เท่า ทำให้หน่วยเก็บข้อมูลภายใน ตอบโจทย์การใช้งานที่ต้องการความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลได้ดี

และทาง Samsung บอกว่า พวกเขาวางแผนที่จะเพิ่มปริมาณการผลิต เพื่อให้ตอบโจทย์ความต้องการหน่วยเก็บข้อมูลความจุสูงสำหรับอุปกรณ์พกพา ก็ได้แต่หวังว่าเราจะได้เห็นชิปหน่วยความจำความจุสูงอยู่ในสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ในเร็ววัน

อ้างอิง news.thaiware.com/11998.html

วันที่ 7 ธันวาคม 2560